类别: 分立半导体产品

晶体管: - FET，MOSFET - 单

制造商: ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

FET 类型 :N 沟道

技术 :MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 13A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）: 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）: 14nC @ 5V

Vgs（值）: ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1205pF @ 15V

功率耗散（值）: 3W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 11.3 毫欧 @ 13A，10V

工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）

封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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企业名：深圳市远东国际电子有限公司

类型：生产制造商

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