功率MOSFET是工程师们常用的器件之一,小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化。

　　NCE40P40D功率MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅电荷的优良RDS(ON)，该设备非常适合于高电流负载的应用。

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　　NCE40P40D功率MOSFET一般特征：

　　VDS=-40v,ID=-40

　　RDS(ON)<14m?@vg=-10v

　　高密度电池设计超低Rdson

　　充分描述雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　良好的散热包装

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　　NCE40P40D功率MOSFET应用程序：

　　功率切换应用程序

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源

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　　额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-40v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：-40a

　　漏电流连续(TC=100℃)：(100℃)-25a

　　脉冲漏电流：-50a

　　功耗：80w

　　降额因子：0.53W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：544mJ

　　工作结和储存温度范围：-55~175℃

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　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明):

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