n型mosfet管NCE0103M

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　　产品型号：NCE0103M

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：3A

　　漏源电压（Vdss）：100V

　　栅源极阈值电压：2V@250uA

　　漏源导通电阻：160mΩ@3A,10V

　　类型：N沟道

　　功率耗散（Ta）：1.5W

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　　NCE0103M特征：

　　VDS=100V,ID=3A

　　RDS(ON)<160mΩ@vg=10v(Typ:136m?)

　　RDS(ON)<170mΩ@vg=4.5v(Typ:140m?)

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　优异的散热包装

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　　NCE0103M应用程序：

　　功率切换应用程序

　　硬开关和高频电路

　　不间断电源

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　　额定参数(TA = 25℃除非另有注明)：

企业名：深圳市誉辉天成电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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