您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET
商铺首页 公司简介 IC产品 供应产品 诚信档案 客户留言

原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70D

原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70D
原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70D
  • 型号/规格:

    AM30N10-70D

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 品牌:

    ANALOGPOW

  • 型号:

    AM30N10-70D

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

VIP会员 第 14
  • 企业名:深圳市维科创电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-23815685
    0755-83539201

    手机:13723751947
    13725597295

    联系人:林小姐/林小姐

    QQ: QQ:1637913808QQ:2064663179

    微信:

    邮箱:1767894002@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北老华强电子世界1号楼2楼12C127-128室

产品分类
商品信息







            深圳市维科创电子有限公司     

  

11

33_副本

原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70DMOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路开启电压VT :在VDS为一固定数值时,能产生ID所需要的 |VGS | 值。(增强)(2) 夹断电压VP :在VDS为一固定数值时,使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。(耗尽)(3) 饱和漏极电流IDSS :在VGS = 0时,管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)(4) 极间电容 :漏源电容CDS约为 0.1~1pF,栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1~3pF。(5) 低频跨导 gm :表示VGS对iD的控制作用。    在转移特性曲线上,gm 是曲线在某点上的斜率,也可由iD的表达式求导得出,单位为 S 或 mS。(6) 漏极电流原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70D IDM(7) 漏极耗散功率 PDM(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70D

联系方式

企业名:深圳市维科创电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-23815685
0755-83539201

手机:13723751947
13725597295

联系人:林小姐/林小姐

QQ: QQ:1637913808QQ:2064663179

微信:

邮箱:1767894002@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区华强北老华强电子世界1号楼2楼12C127-128室

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9