本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：93 A
漏源导通电阻：5.7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.45 V
Qg-萘甲酸：18 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：79 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：48 S
下降时间：5.2 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：13 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：15 ns
典型起始延迟时间：12 ns
零件号别名：IRFR3711ZTRPBF SP001557010
单位重量：4 g
应用领域
•用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器
•具有同步整流功能的高频隔离式DC-DC转换器，用于电信和工业用途
•无铅

好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS（上）
•超低门阻抗
•全面表征雪崩电压和电流
额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	20	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	93©	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	66©
IDM	Pulsed Drain Current G)	370
PD @TC = 25°C	Maximum Power Dissipation (1)	79	W
PD @TC = 100°C	Maximum Power Dissipation (1)	39
	Linear Derating Factor	0.53	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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