本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：9 A
Rds上漏源导通电阻：18毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-血浆甲醛：42 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：19 S
下降时间：190 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：36 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：170 ns
典型中断时间：17 ns
零件号别名：IRF7324TRPBF SP001570196
单位重量：506.600毫克
特征

●风口技术
●超低导通电阻
●双P沟道MOSFET
●外形小巧（<1.1mm）
●有卷带包装
●2.5V额定
●无铅
描述
来自国际整流器公司的新型沟槽HEXFET®功率

MOSFET利用先进的处理技术来实现每硅面积

的极低导通电阻。 这项优势与HEXFET功率

MOSFET众所周知的坚固耐用的器件设计相结合，

为设计人员提供了一种非常高效且可靠的器件，

可用于电池和负载管理应用。
额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-Source Voltage	-20	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V	-9.0	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V	-7.1
IDM	Pulsed Drain CurrentCD	-71
PD @TA = 25°C	Maximum Power DissipationGl	2.0	W
PD @TA = 70°C	Maximum Power DissipationGl	1.3	W
	Linear Derating Factor	16	mW/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 12	V
TJ , TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-28892811

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