IRF1104PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
微信:
邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续直流电流:100 A
Rds漏源导通电阻:9毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:62 nC
工作温度:-55°C
工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:170 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:单
高度:15.65毫米
长度:10毫米
晶体管类型:1 N沟道
类型:初步
宽度:4.4毫米
商标:Infineon / IR
下降时间:19 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:114 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:28 ns
典型起始延迟时间:15 ns
零件号别名:IRF1104PBF SP001570050
单位重量:6 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩等级
无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,可实现每硅面积极低的导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
TO-220封装普遍适用于所有功耗约为50瓦的商业工业应用。 TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
100 a: |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
71 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
400 |
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
170 |
W |
|
Linear Derating Factor |
1.11 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
土 20 |
V |
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
350 |
mJ |
IAR |
Avalanche CurrentCD |
60 |
A |
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
17 |
mJ |
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt ® |
5.0 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 srew |
10 lbf•in (1.1N•m) |
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企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
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邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼