IRF7343TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ： 
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道，P沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：4.7 A
Rds上漏源导通电阻：65毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：24 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N通道，1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7343TRPBF SP001565516
单位重量：540毫克
特征
•Generation V技术超低导通电阻
•双N和P沟道MOSFET
•表面贴装
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器
件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠
的器件，可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性
和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择。
通过这些改进，可以在一块板子空间大大减少的应用
中使用多种设备。 该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
|
N-Channel |
P-Channel |
|||
|
VDS |
Drain-Source Voltage |
55 |
-55 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
4.7 |
-3.4 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
3.8 |
-2.7 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
38 |
-27 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Maximum Power Dissipation cri |
2.0 |
W |
|
|
PD @TA = 70°C |
Maximum Power Dissipation cri |
1.3 |
W |
|
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energya> |
72 |
114 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current |
4.7 |
-3.4 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy |
0.20 |
mJ |
|
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
士 20 |
V |
|
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt 0 |
5.0 |
-5.0 |
V/ns |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ：
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
