本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道，P沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：5.2 A，4.3 A
Rds上漏源导通电阻：70毫欧，140毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：700 mV
Qg-甲醛甲醛：20 nC，22 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N通道，1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-应力：8.3 S，4 S
下降时间：51 ns，33 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：42 ns，26 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：32 ns，51 ns
典型中断时间：9 ns，8.4 ns
零件号别名：IRF7307TRPBF SP001574744
单位重量：506.600毫克
特征

•第五代技术
•超低导通电阻
•双N和P频道Mosfet
•表面贴装
•提供卷带包装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。 

这种优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人

员提供了一种非常有效的器件，可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性和多芯片能力，

使其成为各种电源应用的理想选择。 通过这些改进，可以在一块板子空间大大减少的应用中使用多种设备。

 该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。 在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于0.8W。

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类型：贸易/代理/分销

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