IRF6646TRPBF
IR
DIRECTFET
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ： 
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-MN
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：80 V
Id-连续直流电流：12 A
Rds上漏源导通电阻：7.6毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：36 nC
工作温度：-40 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：89 W
通道模式：增强
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：6.35毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：5.05毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：12 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：20 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：31 ns
典型中断时间：17 ns
零件号别名：IRF6646TRPBF SP001564784
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
80 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V G) |
12 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V G) |
9.6 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V @ |
68 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current � |
96 |
|
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy ® |
230 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche Current � |
7.2 |
A |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient CT0 |
––– |
45 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ®0 |
12.5 |
––– |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ®0 |
20 |
––– |
|
|
RqJC |
Junction-to-Case ®0 |
––– |
1.4 |
|
|
RqJ-PCB |
Junction-to-PCB Mounted |
1.0 |
––– |
|
|
|
Linear Deratinig Factor CT |
0.022 |
|
|
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation CT |
2.8 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation CT |
1.8 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation ® |
89 |
|
|
TP |
Peak Soldering Temperature |
270 |
°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-40 to + 150 |
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
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邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
