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IRF7862TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

IRF7862TRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
IRF7862TRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
金牌会员 第 14
  • 企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28892811

    手机:13717085518

    联系人:张凯

    QQ: QQ:375496263

    微信:

    邮箱:szksy82@126.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

商品信息

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:21 A
Rds上漏源导通电阻:4.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:30 nC
Pd-功率耗散:2.5 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:单
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF7862TRPBF SP001577668
单位重量:540毫克

应用领域
•用于笔记本处理器电源的同步MOSFET
•用于隔离式DC-DC转换器的同步整流器MOSFET
好处
•VDS在4.5V VGS时非常低的RDS(on)
•超低门阻抗
•全面表征雪崩电压和电流
•20V VGS。 门额定值
•100%经过Rg测试
•无铅
额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

30

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

21

 

A

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

17

IDM

Pulsed Drain Current CD

170

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

2.5

W

PD @TA = 70°C

Power Dissipation

1.6

 

Linear Derating Factor

0.02

W/°C

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 150

°C

热阻

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJL

Junction-to-Drain Lead (1)  

–––

20

°C/W

RqJA

Junction-to-Ambient ©

–––

50

雪崩特性

 

Parameter

Typ.

Max.

Units

EAS

Single Pulse Avalanche Energy Q)

–––

350

mJ

IAR

Avalanche Current CD

–––

16

A

联系方式

企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-28892811

手机:13717085518

联系人:张凯

QQ: QQ:375496263

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邮箱:szksy82@126.com

地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

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