IRFP4468PBF
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
微信:
邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:290 A
漏源导通电阻:2 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:360 nC
Pd-功率耗散:520 W
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFP4468PBF SP001554960
单位重量:38 g
额定值
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
290CD |
A |
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
200 |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
195 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current al |
1120 |
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
520 |
W |
|
Linear Derating Factor |
3.4 |
W/°C |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
dv/dt |
Peak Diode Recovery © |
10 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lb·in (1.1N·m) |
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJC |
Junction-to-Case ® |
––– |
0.29 |
°C/W |
RqCS |
Case-to-Sink, Flat Greased Surface |
0.24 |
––– |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient ®® |
––– |
40 |
EAS (Thermally limited) |
Single Pulse Avalanche Energy CT |
740 |
mJ |
IAR |
Avalanche Current al |
See Fig. 14, 15, 22a, 22b, |
A |
EAR |
Repetitive Avalanche Energy � |
mJ |
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
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