标题产品描述： 晶体管  MOSFET  Vishay Semiconductors SIS892ADN-T1-GE3

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 28 A
Rds On-漏源导通电阻: 27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 19.5 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET, PowerPAK
系列: SIS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - zui小值: 19 S
高度: 1.04 mm
长度: 3.3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 3.3 mm
零件号别名: SIS892ADN-GE3
单位重量: 1 g
标题产品图片：

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