FDB33N25250V N沟道MOSFET特点•33A，250V，RDS（ON）=0.094Ω@ VGS = 10 V•低栅极电荷（典型值36.8 NC）•低CRSS（典型值39 pF的）•快速开关•100％ 测试•改进dv / dt能力TM描述这些N沟道增强型功率场效应晶体管器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，DMOS技术。这种先进的技术已特别针对微型迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和换流模式。这些装置非常适用于高艾菲cient开关模式电源和有源功率因数校正

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