RF Mosfet HEMT 28V 250mA 4.5GHz ~ 6GHz 11dB 30W 440166                                                                                   CGH55030F2 / CGH55030P2
25 W，C波段，无与伦比的GaN HEMT
Cree的CGH55030F2 / CGH55030P2是氮化镓（GaN）高电子
移动晶体管（HEMT）专为高效率设计，高
增益和宽带宽能力，这使得CGH55030F2 /
CGH55030P2适用于C波段脉冲或CW饱和放大器。该
晶体管可用于拧紧，法兰和焊接，
 根据适当的外部匹配调整，
CGH55030F2 / CGH55030P2适用于高达6 GHz的应用。
特征
•4.5至6.0 GHz操作
•5.65 GHz的12 dB小信号增益
•30 W典型PSAT
•PSAT 60％的效率
•28 V操作
应用
•2路私人无线电
•宽带放大器
•蜂窝基础设施
•测试仪器
•A类，AB放大器的驱动程序和
增益块

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