IRF9530PBF

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220AB-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 12 A

Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 38 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 88 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 15.49 mm  

长度: 10.41 mm  

系列: IRF  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 4.7 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 值: 3.7 S  

CNHTS: 8541290000  

下降时间: 39 ns  

HTS代码: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 52 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541290000  

典型关闭延迟时间: 31 ns  

典型接通延迟时间: 12 ns  

单位重量: 6 g

IRF9530PBF

特征：

•动态dV / dt额定值

•重复雪崩评级

•P通道

•175°C的工作温度

•快速切换

•易于并联

•简单的驱动要求

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