SQ7415AEN-T1_GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 16 A

Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 25.5 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 53 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.04 mm  

长度: 3.3 mm  

系列: SQ  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 3.3 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 值: 13 S  

下降时间: 8 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 9 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 37 ns  

典型接通延迟时间: 9 ns  

单位重量: 18 mg

SQ7415AEN-T1_GE3

特征：

•TrenchFET®功率MOSFET

•PowerPAK®包装

- 低热阻，RthJC

- 低1.07毫米的轮廓

•AEC-Q101合格

•100％Rg和UIS测试

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