IRF9Z34NPBF 品牌IR 封装TO-220

FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点 Standard

漏极至源极电压（VDSS） 55V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 19A

Rds（）@ ID，VGS 100 mOhm @ 10A, 10V

VGS（TH）（）@ Id 4V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 35nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的 620pF @ 25V

功率 - 68W

安装类型 Through Hole

包/盒 TO-220-3

供应商器件封装 TO-220AB

包装材料 Tube

包装 3TO-220AB

渠道类型 P

通道模式 Enhancement

漏源电压 55 V

连续漏极电流 19 A

RDS -于 100@10V mOhm

门源电压 ±20 V

典型导通延迟时间 13 ns

典型上升时间 55 ns

典型关闭延迟时间 30 ns

典型下降时间 41 ns

工作温度 -55 to 175 °C

安装 Through Hole

标准包装 Rail / Tube

门源电压 ±20

欧盟RoHS指令 Compliant

工作温度 175

标准包装名称 TO-220

工作温度 -55

漏源电阻 100@10V

漏源电压 55

每个芯片的元件数 1

供应商封装形式 TO-220AB

功率耗散 68000

连续漏极电流 19

引脚数 3

铅形状 Through Hole

FET特点 Standard

封装 Tube

安装类型 Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 19A (Tc)

的Vgs（th ） （）@ Id 4V @ 250μA

漏极至源极电压（Vdss） 55V

供应商设备封装 TO-220AB

开态Rds（）@ Id ，V GS 100 mOhm @ 10A, 10V

FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 68W

输入电容（Ciss ） @ VDS 620pF @ 25V

其他名称 *IRF9Z34NPBF

闸电荷（Qg ） @ VGS 35nC @ 10V

封装/外壳 TO-220-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

类别 Power MOSFET

配置 Single

外形尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm

身高 8.77mm

长度 10.54mm

漏源电阻 0.1 Ω

工作温度 +175 °C

功率耗散 68 W

工作温度 -55 °C

包装类型 TO-220AB

典型栅极电荷@ VGS 35 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS 620 pF V @ 25

宽度 4.69mm

漏极电流（值） 19 A

频率（） Not Required MHz

栅源电压（值） �20 V

输出功率（） Not Required W

功率耗散 68 W

噪声系数 Not Required dB

漏源导通电阻 0.1 ohm

工作温度范围 -55C to 175C

极性 P

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %

漏源导通电压 55 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

连续漏极电流 19 A

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