Diodes（美台）DMG1013T P沟道MOS管

DGM1013T产品主要特性：

1，低导通电阻

2，低门限电压

3，低输入电容

4,快速切换速度

5,低输入/输出泄漏

6,静电放电保护高达3kV

7,完全无铅且完全符合RoHS,不含卤素和锑。

8,符合AEC-Q101高可靠性标准

P沟道MOS管DGM1013T采用 SOT523封装，主要用于DC-DC直流变换器，负载开关，电源管理等产品。

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