IR英飞凌   IRFP250NPBF 场效应晶体管

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:82 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 175 C

配置:Single

Pd-功率耗散:214 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:20.7 mm 

长度:15.87 mm 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:5.31 mm 

商标:Infineon Technologies 

正向跨导 - 值:17 S 

下降时间:33 ns

 产品类型:MOSFET

 上升时间:43 ns 

工厂包装数量:400 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:41 ns

 典型接通延迟时间:14 ns

 零件号别名:SP

 单位重量:5.600 g

IRFP250NPBF 场效应晶体管

先进的工艺技术

？ 动态dv / dt额定值

？ 175°C工作温度

？ 快速切换

？ 完全雪崩评级

？ 易于并联

？ 简单的驱动要求

TO-247AC

？无铅

描述

International Rectifier的第五代HEXFET采用先进的处理技术

技术来实现每硅面积极低的导通电阻。 这个好处，

结合快速切换速度和坚固耐用的设备设计

HEXFET功率MOSFET众所周知，为设计人员提供了一个

极其高效和可靠的设备，适用于各种应用。

TO-247封装适用于商业工业应用

更高的功率水平排除了使用TO-220设备。 TO-247是相似的

但由于其独立的安装孔而优于早期的TO-218封装。

场效应晶体管   场效应晶体管

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