STF28NM50N
ST(意法半导体)
TO-220F
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
企业名:深圳市波光电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
15817467967
13302940566
手机:15817467967
13302940566
联系人:马先生/马先生
微信:
邮箱:383204303@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北路宝华大厦1701
ST意法 STF28NM50N 场效应管
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:500 V
Id-连续漏极电流:21 A
Rds On-漏源导通电阻:158 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:50 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:35 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:52 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:19 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:62 ns
典型接通延迟时间:13.6 ns
单位重量:330 mg
STF28NM50N 场效应管
特征
■100%雪崩测试
■低输入电容和栅极电荷
■低栅极输入电阻
应用
■切换应用程序
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
使用第二代开发
MDmesh™技术。 这个革命的力量
MOSFET与垂直结构相关联
公司的带钢布局产生世界上的一个
的导通电阻和栅极电荷。 它是
因此适合要求的高端
效率转换器。
配置:Single
Pd-功率耗散:35 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:52 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:19 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:62 ns
典型接通延迟时间:13.6 ns
STF28NM50N 场效应管STF28NM50N 场效应管
企业名:深圳市波光电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
15817467967
13302940566
手机:15817467967
13302940566
联系人:马先生/马先生
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地址:广东深圳深圳市福田区华强北路宝华大厦1701