IRF10N60场效应管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

 

　　场效应管具有如下特点。
　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；
　　（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107~1012Ω）很大。
　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
　　（5）场效应管的抗辐射能力强；
　　（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

　　场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
　　　场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
　　有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
　　场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

 

　　绝缘栅场效应管
　　1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
　　2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。
　　3、绝缘栅型场效应管的工作原理（以N沟道增强型MOS场效应管为例）它是利用UGS来控制"感应电荷"的多少，以改变由这些"感应电荷"形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID.当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
　　场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

 

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