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ST进口N沟道场效应管晶体管SPP20N60C3

供应ST进口N沟道场效应管晶体管SPP20N60C3
供应ST进口N沟道场效应管晶体管SPP20N60C3
  • 型号/规格：

    SPP20N60C3

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • 封装形式：

    TO220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    中功率

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金牌会员 第 10 年

  • 企业名：深圳市凌涵科技有限公司

    类型：贸易/代理/分销

    电话： 18665364505

    手机：18665364505

    联系人：侯先生

    QQ： QQ:2750831456

    邮箱：hxm2657@163.com

    地址：广东深圳深圳市福田区华强北街道振兴路109号华康大厦2栋408

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商品信息

SPW20N60C3，采用TO-247 封装方式。
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 值:20.7A
电压, Vds :650V
开态电阻, Rds(on):0.19ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs :3V
功耗:208W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:208W
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:208W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:650V
电流, Idm 脉冲:62.1A
结温, Tj :-55°C
结温, Tj :150°C
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
阈值电压, Vgs th :3.9V
所属类别：半导体二极管
产品：General Purpose MOSFETs
晶体管极性：N-Channel
电阻基极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohm @ 10 V
基极/源极击穿电压：650 V
漏极连续电流： 20.7 A
功率耗散：208000 Mw
闸/源击穿电压：20 V
封装/箱体：TO-247
封装：Tube

联系方式

企业名：深圳市凌涵科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 18665364505

手机：18665364505

联系人：侯先生

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