MBR20200CT
苏州固锝GOOD-ARK
ITO-220AB
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
20A
200V
电话:4008586100
SF26 DO-15
SDJX
DO-15
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
中功率
高频
功耗: 2A 正向压降: 1.25v 快恢复时间: 35ns 材料: 硅(Si) 是否进口: 否 型号: SF26 用途: 开关电源 产品类型: 快恢复二极管 品牌: JX 工作温度范围: -55~150(℃) 封装:...
电话:0635-3985388
手机:13853132308
SP10U45L
JF(吉福)
TO-277
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
10
45
济南晶恒电子有限责任公司(以下简称晶恒集团)始创于1958年,是一家综合性多元化的集团企业,是中国支肖特基二极管和支锗二极管的诞生地,目前已发展成为中国实力的半导体芯片和成品...
电话:0531-86593230
手机:15588871055
-55-165(℃)
*R20100
硅(Si)
国产
肖特基管
3
否
TO-220AB
网上标示价格*供参考,实际交易价格请咨询后确认! *我公司经营品种如下:1、整流二*管:1A1—1A7 1N4001—1N4007 IN5391—1N5399 1N5400&am...
手机:15095129320
1N5822
HG
DO-201AD
无铅*型
直插式
散装
大功率
高频
济南恒越电子有限公司是一家的新型电子元器件生产企业,有着*的二*管制造工艺和生产设备,建成了多系列的二*管生产线,具有年产二*管20亿支的能力。主要生产经营塑封、玻封轴向及贴片...
电话:0536-2866262
手机:13953189699
国产
SD110
肖特基管
点接触型
硅(Si)
贴片型
SOD-123
1(A)
FEATUR*Metal-Semiconductor junction with guard ringEpitaxial constructionLow forward voltage dropHigh current capabilityThe plastic material carries UL recognition 94V-0F...
电话:8653188523107
手机:13361036288
“CoolSiC 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术,充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF)...
据该公司介绍,在这个名为TRSxxx65H的系列中,采用了一种新的肖特基金属,并且与第二代相比,改变了结势垒结构以降低电场,从而减少泄漏。 标称最大连续电流在 2A 至 12A 之间的版本可供选择,其中七个采用 TO-220-2L 封装,五个采用表面贴装 DFN8×8 封装...
器件采用MPS结构设计,额定电流4 A~ 40 A,正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS...
如今,为了实现可持续发展和繁荣的社会,在能源领域十分要求效率。本公司为实现这一目标正在开发新的产品群,进而推进下一代电力设备的发展。 这次开始提供的样片NJDC010A065AA3PS是使用了碳化硅材料的世界最小尺寸的肖特基二极管,其最大额定值为650V/10A...
宾夕法尼亚、MALVERN—2021年1月28日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出十款新型650V碳化硅(SiC)肖特基二极管。VishaySemiconductors器件采用混合PINSchottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温...
通常,硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1];此外,它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3],但不能超过物理极限。 本节简要介绍了所用芯片的技术...
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数,SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场,从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外,它具有最低的热阻,允许高通态电流密度。 然而,砷化镓有一些必须考虑的优点: 由于正向压降的显着正...
肖特基二极管以发明人肖特基博士(Schottky)命名。SBD(Schottky Barrier Diode)是肖特基势垒二极管的缩写。不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成,肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。肖特基的两个主要特点,一个是正向导通压降比较低,一般...
肖特基二极管,属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右,反向恢复时间极短,可小至几纳秒;其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备的。肖特基二极管是用钼、金、银等贵金属为阳极,用N型半导体材料为阴极,...
通常,异步开关模式电源 (SMPS) 的主要损耗源是二极管的非理想特性。解决此问题的一种方法是使用同步 SMPS,其中二极管被受控 MOSFET 开关取代。这种方法肯定会提高效率;然而,它是以增加电路和需要精确控制为代价的。 同步与异步升压转换器。图片由 Cadence提供 另一方面,可以通过不断改...