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TOSHIBA/东芝
MG200Q1US41
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
SP/*外形
IGBT*缘栅比*
1200V（V）
200A（mA）
850W（mW）
企业名：北京星宇翔龙科贸中心
类型：其他
电话： 010-66123255
联系人：尚伟飞
邮箱：shanwefe@sohu.com
地址：
MG200Q1US41 200A1200V单管
SQD400BA60 达林顿 400A 600V
M.5V 13W 889-915MHZ
3DX2F 七专
3DG162G 七专产品
MG200Q1US41 200A 1200V 单管IGBT
mosfet场效应管
恒泰柯功率MOSFET
mosfet型号
低压mosfet
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