| 品牌/商标 | TOSHIBA东芝 | 型号/规格 | 2SK2608(F) |
| 应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
| *性 | PNP型 | 结构 | 点接触型 |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
| 部件型号 | 2SK2608 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 900 V | |
| 漏电流ID | 3 A | |
| 漏功耗PD | 100 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 25 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 4.3 Ω | |
| 封装 | TO-220AB | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) | |
| RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
替代型号2SK3564，为塑料封装。2SK2608为金属封装。欢迎咨询洽谈。
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