P-DIT/塑料双列直插
IRF840
GE-N-FET锗N沟道
S/开关
SEMIWILL
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
企业名：上海望爵电子科技有限公司
类型：生产加工
电话： 021-34637345
联系人：王辉
地址：上海上海市闵行区漕河泾浦江创新科技园7A栋
∟ 稳压二极管(2)∟ 瞬态(变)抑制二极管(6)
IRF840-MOS管-场效应管-MOSFET
概述
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽等优点，现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
产品特性：
热阻低、开关速度快、输入阻*高、*合RoHS规范
主要参数：
漏-源电压VDS≥500V 漏*电流ID=8.5A 导通电阻RDS≤0.85ohm
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
