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安森美功率MOS管——NTD5865NLT4G

安森美功率MOS管——NTD5865NLT4G

安森美功率MOS管——NTD5865NLT4G

品牌/型号：
ON/NTD5865NLT4G
种类：
绝缘栅MOSFET
用途：
V-FET/V型槽MOS
封装外形：
SMDSO/表面封装
材料：
N-FET硅N沟道
跨导：
15000（μS）
极间电容：
1400（pF）
漏极电流：
40000（mA）
耗散功率：
52000（mW）
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型

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金牌会员第 14 年

企业名：上海贝臣电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 021-39121306
021-39121306

手机：15216657665

联系人：何军/张甜

QQ：

邮箱：hjhoso@126.com

地址：上海上海市上海市青浦区华新镇华南路680号A幢306室

产品分类

二极管(24)
∟ 整流二极管(1)∟ 其他二极管(1)
三极管(3)
场效应管MOSFET(201)
∟ MOSFET(65)
电源/稳压器(27)
∟ 照明(灯具)电源(5)∟ LED( PDP、LCD)电源(22)

新品上架

商品信息

N−Channel 40 Amps 60 Volts Power MOSFET

•无铅包装

•封装：DPAK(TO-252)

•工作温度范围：-55 to 150°C

•开启延迟时间：84ns

•关断延迟时间：26ns

•导通电阻: R=16mΩ @10V

•耗散功率： P_D=52W

联系方式

企业名：上海贝臣电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 021-39121306
021-39121306

手机：15216657665

联系人：何军/张甜

QQ：

邮箱：hjhoso@126.com

地址：上海上海市上海市青浦区华新镇华南路680号A幢306室

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