品牌:IR美国国际整流器公司 型号:SIHG20N50C-E3 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 低频跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） *大漏*电流:1（mA） *大耗散功率:1（mW）

*原装现货

企业名：深圳市福田区新亚洲电子市场二期华泰嘉业电子商行

类型：经销商

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