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场效应管 ISL9N306AS3ST N306AS ISL9N306

场效应管 ISL9N306AS3ST N306AS ISL9N306
场效应管 ISL9N306AS3ST N306AS ISL9N306
  • 漏极电流:

    75A

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    ISL9N306AS3ST,MOS,30V,75A,0.006Ω,263

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 夹断电压:

    20

  • 导电方式:

    增强型

  • 极间电容:

    3400

VIP会员 第 18
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83364431
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    手机:15811840616
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    联系人:刘小姐/钟小姐

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    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

商品信息

产品型号:ISL9N306AS3ST

封装:SOT-263/D2PAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):75

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS =10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):125

极间电容Ciss(PF):3400

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,75A N-Channel 功率MOSFET


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企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:贸易/代理/分销

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