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场效应管 SSM3J135TU JJN SSM3J327R KFG

供应 场效应管 SSM3J135TU JJN SSM3J327R KFG
供应 场效应管 SSM3J135TU JJN SSM3J327R KFG
  • 型号/规格:

    SSM3J135TU

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    SOT-323

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    3000/盘

VIP会员 第 18
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83364431
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    手机:15811840616
    15811829690

    联系人:刘小姐/钟小姐

    QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

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    邮箱:2355799104@qq.com

    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

商品信息 更新时间:2013-08-16

SSM3J135TU,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-3A,0.0103Ω,带二极(ESD)静电保护

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ)

应用:

 * Power Management Switch Applications/电源管理开关应用


特点:
 * 1.5V驱动器
 * 低导通电阻:RDS(ON) = 260 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
             :RDS(ON) = 180 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
             :RDS(ON) = 132 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
             :RDS(ON) = 103 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)


产品型号:SSM3J135TU

封装:SOT-323

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±8

漏极电流Id(A):-3

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.103 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.0

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):270 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s):4.4

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):43 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J135TU,-20V,-3A,P-沟道增强型场效应晶体管

 

(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)

 

 

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83364431
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手机:15811840616
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