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场效应管 TPC8035-H,TPC8028

供应 场效应管 TPC8035-H,TPC8028
供应 场效应管 TPC8035-H,TPC8028
  • 型号/规格:

    TPC8028

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    SOP-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    3000/盘

VIP会员 第 18
  • 企业名:深圳市金城微零件有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83364431
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    手机:15811840616
    15811829690

    联系人:刘小姐/钟小姐

    QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

    微信:

    邮箱:2355799104@qq.com

    地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

商品信息

Absolute Maximum Ratings

Characteristics Symbol Rating Unit
Drain current ID 18 A
Drain power dissipation PD 1.9 W
Drain-Source voltage VDSS 30 V

Electrical Characteristics

Characteristics Symbol Condition Value Unit
Total gate charge (Typ.) Qg - 45 nC
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 0.008 Ω
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 0.0043 Ω

产品型号:TPC8028,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.0043Ω

封装:SOP-8

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):18

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0043 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):1.9

输入电容Ciss(PF):1800 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):40

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):84

导通延迟时间Td(on)(ns):26 typ.

上升时间Tr(ns):14 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):54 typ.

下降时间Tf(ns):19 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TPC8028,30V,18A,0.0043Ω N-沟道增强型场效应晶体管


深圳市金城微零件有限公司                                  
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)

 

联系方式

企业名:深圳市金城微零件有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83364431
0755-83364431

手机:15811840616
15811829690

联系人:刘小姐/钟小姐

QQ: QQ:2355799089QQ:2355799088

微信:

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地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田街道五和大道118号和成世纪18楼(地铁五和站B出口)门市1:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室

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