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HAT2195R-EL-E 现货

HAT2195R-EL-E 现货
HAT2195R-EL-E 现货
  • 品牌/型号:

    HIT日本日立/HAT2195R-EL-E

  • 种类:

    *缘栅MOSFET

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    0(V)

  • 夹断电压:

    0(V)

  • 跨导:

    0(μS)

  • *间电容:

    0(pF)

  • 低频噪声系数:

    0(dB)

  • 漏*电流:

    0(mA)

  • 耗散功率:

    0(mW)

普通会员
  • 企业名:北京达博志诚科技发展有限公司

    类型:经销商

    电话: 86 010 62311058
    62327154

    联系人:朱帅民

    地址:北京北京中国 北京市海淀区 北京市海淀区五道口东王庄甲一号生产楼200室

商品信息

HAT2195R-EL-E

产品品牌:Renesas Electronics

产品分类:MOSFET,GaNFET - 单

产品描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

*属性:Lead free / RoHS Compliant  

  • 功能参数

FET 型:FET 特点:开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25 C:漏*至源*电压(Vdss):电流 - 连续漏*(Id) @ 25 C:Id 时的 Vgs(th)(*大):闸电荷(Qg) @ Vgs:在 Vds 时的输入电容(Ciss) :功率 - *大:安装类型:封装/外壳:包装:
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
5.8 毫欧 @ 9A, 10V
30V
18A
-
23nC @
4.5V
3400pF @ 10V
2.5W
表面贴装
8-SOIC(0.154",
3.90mm 宽)
带卷 (TR)

联系方式

企业名:北京达博志诚科技发展有限公司

类型:经销商

电话: 86 010 62311058
62327154

联系人:朱帅民

地址:北京北京中国 北京市海淀区 北京市海淀区五道口东王庄甲一号生产楼200室

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