TOSHIBA东芝**原装场效应管系列 2SK2604 K2604

品牌：
TOSHIBA/东芝
型号：
2SK2604 K2604
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
P沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MW/微波
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
SIT静电感应
开启电压：
33（V）
夹断电压：
33（V）
跨导：
33（μS）
*间电容：
33（pF）

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场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

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商品信息

TOSHIBA东芝**原装场效应管系列 2SK2604 K2604

2SK2604 K2604产品规格参数

Datasheets 2SK2604
Mosfets Prod Guide
Standard Package 3,000
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1080pF @ 25V
Power - Max 125W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-*-3, SC-65-3
Supplier Device Package TO-*(N)
Packaging Tape & Reel (TR)