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童场效应管 11N60 原装质量请咨询

封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
型号/规格：
11N60
材料：
ALGaAS铝镓砷
用途：
MOS-HBM/半桥组件
品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
沟道类型：
N沟道
种类：
结型(JFET)
导电方式：
耗尽型

发布询价信息

普通会员

企业名：结型场效应管深圳市福田区宏诚辉电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：陈义伟

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区华强三店3A132(佳和大厦)

产品分类

场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-24

制造商: Fairchild Semiconductor

产品种类: MOSFET 功率

RoHS:   详细信息

配置: Single

晶体管*性: N-Channel

电阻汲*/源* RDS（导通）: 0.38 Ohms

正向跨导 gFS（*大值/*小值） : 9.7 S

汲*/源*击穿电压: 600 V

闸/源击穿电压: /- 30 V

漏*连续电流: 11 A

功率耗散: 125 W

*大工作温度: 150 C

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220AB

封装: Tube

*小工作温度: - 55 C

Standard Pack Qty: 50

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