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原装场效应二三*管系列 2SK2699 K2699

品牌：
TOSHIBA/东芝
型号：
2SK2699 K2699
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
P-FET硅P沟道
开启电压：
33（V）
夹断电压：
33（V）
跨导：
33（μS）
*间电容：
33（pF）

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普通会员

企业名：结型场效应管深圳市福田区宏诚辉电子商行

类型：经销商

电话：

联系人：陈义伟

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区华强三店3A132(佳和大厦)

产品分类

场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

新品上架

商品信息 更新时间：2013-01-20

原装正品场效应二三*管系列 2SK2699 K2699

2SK2699 K2699产品规格参数

Datasheets 2SK2699
Mosfets Prod Guide
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2600pF @ 10V
Power - Max 150W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-*-3, SC-65-3
Supplier Device Package TO-*(N)
Packaging Tube