产品型号:IPS09N03LAG

特点
 * 非常适于高频DC / DC转换器
 * 符合到JEDEC1）为目标的应用程序
 * N沟道逻辑电平
 * 的栅极电荷x R DS（ON）产品（FOM）
 * 卓越的热电阻
 * 175℃的工作温度
 * 无铅引脚电镀，符合RoHS

封装:TO-251短

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):50

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0086 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):63

极间电容Ciss(PF):1235

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：46

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):75

温度(℃): -55 ~175

描述:IPS09N03LAG,25V,50A OptiMOS2 Power-Transistor

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