【墨西哥IR*原装场效应管】IRFB52N15DPBF FB52N15D

封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
型号/规格：
IRFB52N15DPBF FB52N15D
材料：
N-FET硅N沟道
用途：
NF/音频(低频)
品牌/商标：
IR/国际整流器
沟道类型：
N沟道
种类：
结型(JFET)
导电方式：
耗尽型

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企业名：结型场效应管深圳市福田区宏诚辉电子商行

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产品分类

场效应管MOSFET(433)
∟ 结型场效应管(267)

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商品信息

【墨西哥IR*原装场效应管/三*管】IRFB52N15DPBF FB52N15D

IRFB52N15DPBF FB52N15D产品规格参数

Datasheets IRFB52N15DPbF, IRFS(L)52N15DPbF
Product Photos TO-220AB PKG
Catalog Drawings IR Hexfet TO-220AB
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series HEXFET®
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 51A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 89nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2770pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Catalog Page 1297 (US2011 Interactive)
1297 (US2011 PDF)
Other Names *IRFB52N15DPBF