FAIRCHILD/*童
FGL60N100BNTD
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-INM/*组件
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
22（V）
22（V）
22（μS）
22（pF）
类型：经销商
电话：
联系人：陈义伟
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强三店3A132(佳和大厦)
∟ 结型场效应管(267)
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电*—发射**大电压 VCEO: 1000 V
集电*—射*饱和电压: 1.5 V
栅*/发射**大电压: /- 25 V
Continuous Collector Current at 25 C: 60 A
栅*—射*漏泄电流: /- 500 nA
功率耗散: 180 W
*大工作温度: 150 C
封装 / 箱体: TO-264-3
封装: Tube
集电**大连续电流 Ic: 60 A
*小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
Standard Pack Qty: 25
*件号别名: FGL60N100BNTD_NL
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
