*供应东芝原装10+MOS管2SK3265

品牌：
TOSHIBA/东芝
型号：
2SK3265
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-FBM/全桥组件
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
220（V）
夹断电压：
220（V）
跨导：
100（μS）
*间电容：
420（pF）

发布询价信息

普通会员

企业名：结型场效应管东莞市黄江东达电子厂

类型：生产企业

电话：

联系人：李君明

地址：广东东莞中国广东东莞市东莞市黄江镇合路工业区

产品分类

场效应管MOSFET(3)
∟ 结型场效应管(2)

新品上架

商品信息

批发说明支持混批， [500]元以上起批或者 [30]PCS以上起批单次满500元以上可*

MOS管主要参数： 1.开启电压VT　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源*S和漏*D之间开始形成导电沟道所需的栅*电压；　　·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2. 直流输入电阻RGS　　·即在栅源*之间加的电压与栅*电流之比　　·这一特性有时以流过栅*的栅流表示　　·MOS管的RGS可以很容易地*过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS　　·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS　　·ID剧增的原因有下列两个方面：　　（1）漏*附近耗尽层的雪崩击穿　　（2）漏源*间的穿通击穿　　·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为*，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID 4. 栅源击穿电压BVGS　　·在增加栅源电压过程中，使栅*电流IG由*开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。 5. 低频跨导gm　　·在VDS为某一固定数值的条件下，漏*电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导　　·gm反映了栅源电压对漏*电流的控制能力　　·是表征MOS管放大能力的一个重要参数　　·一般在十分之几至几mA/V的范围内 6. 导通电阻RON　　·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏*特性某一点切线的斜率的倒数　　·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间　　·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似　　·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内 7. *间电容　　·三个电*之间都存在着*间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS　　·CGS和CGD约为1～3pF　　·CDS约在0.1～1pF之间 8. 低频噪声系数NF　　·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的　　·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输　　　出端也出现不规则的电压或电流变化　　·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）　　·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小　　·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数　　·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双*性三*管的要小

联系方式

企业名：结型场效应管东莞市黄江东达电子厂

类型：生产企业

电话：

联系人：李君明

地址：广东东莞中国广东东莞市东莞市黄江镇合路工业区

相关产品

提示：您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责，请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购！

电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

友情链接： 深圳市元东发电子有限公司

卖家服务热线：0571-85317607 | 卖家服务部QQ：