CHIP/小型片状
SM4912TSKC-TRG
GE-N-FET锗N沟道
MOS-HBM/半桥组件
Sinopower
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
属性值
企业名:苏州康宇电子有限公司
类型:经销商
电话:
联系人:孟利芳
地址:江苏苏州中国 江苏 苏州市虎丘区 狮山路12号金狮大厦11楼J座
∟ MOSFET(9)
Channel 1
30V/9A,
RDS(ON) = 27mW (max.) @ VGS = 10V
RDS(ON) = 33mW (max.) @ VGS = 4.5V
· Channel 2
30V/12A,
RDS(ON) = 14mW (max.) @ VGS =10V
RDS(ON) = 20mW (max.) @ VGS =4.5V
· Super High Dense Cell Design
· Reliable and Rugged
· Lead Free Available (RoHS Compliant)
Applications
· Power Management in Notebook Computer,
Portable Equipment and Battery Powered
Systems
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司