您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册
您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管(模块) > MOSFET
商铺首页 公司简介 IC产品 供应产品 诚信档案 客户留言

福斯特高性能MOSFET FIR14N50F,500V N-MOSFET

  • 型号/规格:

    FIR14N50F

  • 品牌/商标:

    福斯特

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

发布询价信息

3000多家会员为您找货报价,SO EASY!

VIP会员 第 11
  • 企业名:深圳市凌云微科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83592325

    手机:15818510774

    联系人:钟丽莎

    QQ: QQ:2355873790

    邮箱:sales3@lanoshk.com

    地址:广东深圳福田区车公庙天安数码城创新科技广场一期A座1706

商品信息

  福斯特FIR14N50F规格:

  种类:绝缘栅(MOSFET)

  沟道类型:N沟道

  导电方式:耗尽型

  材料:N-FET硅N沟道

  封装外形:P-DIT/塑料双列直插

  用途:D-G双栅四极

  开启电压:500(V)

  夹断电压:500(V)

  跨导:510(μS)

  极间电容:1(pF)

  最大漏极电流:1(mA)

  最大耗散功率:10(mW)

  扬效应管主要参数

  ●直流参数

  饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。   夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS.

  开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS.

  ●交流参数

  低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。   极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。

  ●极限参数

  漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS.

  栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。

 

 

 

凌云国际股份有限公司十余年一直保持着最佳的行业质量标准,将是你最好的选择!

 

 

联系我们

 

 

:黄培东

手机:

86-

传真:86-

  

地址:广东省深圳深圳市福田区佳和华强大厦A1709-1711

邮编:518033

公司网址http://www.lanoshk.com

 

联系方式

企业名:深圳市凌云微科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83592325

手机:15818510774

联系人:钟丽莎

QQ: QQ:2355873790

邮箱:sales3@lanoshk.com

地址:广东深圳福田区车公庙天安数码城创新科技广场一期A座1706

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9