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美国福特斯N沟场效应FIR2N60F,长期代理

  • 型号/规格:

    FIR2N60F

  • 品牌/商标:

    美国福特斯

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

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  • 企业名:深圳市凌云微科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83592325

    手机:15818510774

    联系人:钟丽莎

    QQ: QQ:2355873790

    邮箱:sales3@lanoshk.com

    地址:广东深圳福田区车公庙天安数码城创新科技广场一期A座1706

商品信息

  福斯特FIR2N60F规格:

  种类:绝缘栅(MOSFET)

  沟道类型:N沟道

  导电方式:增强型

  材料:N-FET硅N沟道

  封装外形:P-DIT/塑料双列直插

  用途:D-G双栅四极

  开启电压:600(V)

  夹断电压:600(V)

  跨导:10(μS)

  极间电容:10101(pF)

  低频噪声系数:101(dB)

  最大漏极电流:10000(mA)

  最大耗散功率:100(mW)

  场效应管型号命名

  有两种命名方法:

  第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

  第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

  场效应管主要作用

  1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。

  2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

  3.场效应管可以用作可变电阻。

  4.场效应管可以方便地用作恒流源。

  5.场效应管可以用作电子开关。

 

 

 

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