*HS669A是利用外延工艺生产的NPN型三*管芯片
*主要适用于低频功率放大器
*芯片尺寸：0.8×0.8(mm2)
*Icm=1.5A，Pcm=1W B
*ft=140MHZ，Cob=14pF
(耗散功率在TC=25℃可达20W)
*芯片背*：背金
芯片背*为集电*。

*芯片厚度：245&plu*n;5um
*压点尺寸：120×120(um)2打线直径：1.2mil Gold Wire
*封装形式：TO-92NL、TO-126

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