您现在的位置:首页 > 元器件(最新) >

高压场效应管

(共找到“40”条查询结果)
所在地区
广东
浙江
新疆
河北
内蒙古
山西
吉林
黑龙江
江苏
辽宁
安徽
福建
江西
山东
河南
湖北
湖南
广西
海南
贵州
云南
西藏
四川
青海
陕西
甘肃
宁夏
台湾
澳门
香港
源头工厂
上一页2/2 跳至
  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    BF92N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    比亚迪

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/型号:

    ST意法半导体/STB21NM50N

  • 种类:

    结型JFET

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    SMDSO/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    500(V)

  • 夹断电压:

    500(V)

  • 跨导:

    24(μS)

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFBC30

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 王钟禄

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-84495862

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2sk3586/k3586

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

    品牌:INJ日本国际器件 型号:IRFIB7N50A 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型IRFIB7N50A TO220F IR品牌 7.4A 500A 内阻0.52欧 应用于车载逆变电源\无*灯镇流器\电源适配器等. 原装现货库存,*少包装1.5...

      品牌:IR 型号:IRFP22N60KPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道IR原装,U=600V,I=22A,RDS=280毫欧,TO-247。实物拍摄,如有需要请致电...

      • 品牌/商标:

        INFINEON/英飞凌

      • 型号/规格:

        11N60

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        HF/高频(射频)放大

      • 封装外形:

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 材料:

        GE-N-FET锗N沟道

      • 欧阳泽涛

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:生产加工
      • 地区:广东汕头
      • 电话:0754-82201262

      • 品牌/商标:

        FAIRCHILD/*童

      • 型号/规格:

        FQPF10N60C

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        SW-REG/开关电源

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 开启电压:

        2-4(V)

      • 品牌/商标:

        TOSHIBA/东芝

      • 型号/规格:

        K1377,2SK1377

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 开启电压:

        *(V)

      • 夹断电压:

        *(V)

      • 跨导:

        *(μS)

        特色标志:新品 品牌:TS 型号:TSN1N60 封装:TO-92 *限电压:600(V) *限电流:0.3(A) 用途:充电器。HID 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型代理:日本松木低压MOS管系列,韩国TS高压系列MOS管。台湾震...

          品牌:infineon 型号:SPU02N60S5 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:高压开关控制 材料:锗 开启电压:4.5(V) 夹断电压:600(V)本公司常备现货,多用于*和其它电路的高压开关电路中,对高压进行...

          • 品牌:

            /

          • 型号:

            TR840高压场效应管/TO-220

          品牌/商标 / 型号/规格 TR840高压场效应管/TO-220 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 我公司是生产二*管三*管的厂家,已通过ISO 9001:2000体系,我公司具体生产三端稳压管,*灯、电子整流器用三*管,...

          • 品牌/商标:

            UTC(台湾友顺)

          • 型号/规格:

            10N80

          • 种类:

            *缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型:

            N沟道

          • 导电方式:

            耗尽型

          • 用途:

            SW-REG/开关电源

          • 封装外形:

            SMD(SO)/表面封装

          • 材料:

            N-FET硅N沟道

          • 封装外形:

            CER-DIP/陶瓷直插

          • 型号/规格:

            2SK3565

          • 材料:

            N-FET硅N沟道

          • 用途:

            SW-REG/开关电源

          • 品牌/商标:

            TOSHIBA/东芝

          • 沟道类型:

            N沟道

          • 种类:

            *缘栅(MOSFET)

          • 导电方式:

            增强型

          • 品牌:

            比亚迪(BYD)

          • 型号:

            BF96N60

          品牌/商标 比亚迪(BYD) 型号/规格 BF96N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(&...

            品牌:FUJI 型号:2SK3505 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:500(V) 夹断电压:450(V) 低频跨导:10(μS...

              品牌:INFINEON 型号:SPB03N60S5 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:3(V) 夹断电压:24(V) 低频跨导:45(&amp...

              • 蔡楚杰

              • 供应商等级: 免费会员
              • 企业类型:生产加工
              • 地区:广东汕头
              • 手机:

              • 品牌/商标:

                其他

              • 型号/规格:

                SVF8N60AF

              • 种类:

                绝缘栅(MOSFET)

              • 沟道类型:

                N沟道

              • 导电方式:

                增强型

              • 开启电压:

                0(V)

              • 夹断电压:

                0(V)

              • 跨导:

                0(μS)

              • 品牌/商标:

                Hitachi/日立

              • 型号/规格:

                K1404,2SK1404

              • 种类:

                *缘栅(MOSFET)

              • 沟道类型:

                N沟道

              • 导电方式:

                增强型

              • 材料:

                N-FET硅N沟道

              • 开启电压:

                *(V)

              • 夹断电压:

                **(V)

              • 品牌/商标:

                IR/国际整流器

              • 型号/规格:

                IRFP22N60KPBF

              • 种类:

                *缘栅(MOSFET)

              • 沟道类型:

                N沟道

              • 导电方式:

                增强型

              • 用途:

                S/开关

              • 封装外形:

                CER-DIP/陶瓷直插

              • 材料:

                N-FET硅N沟道

              电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

              在采购高压场效应管进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

              免责声明:以上所展示的高压场效应管信息由会员自行提供,高压场效应管内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

              友情提醒:为规避购买高压场效应管产品风险,建议您在购买高压场效应管相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。