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高压场效应管

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源头工厂
  • 品牌/型号:

    ST意法半导体/STB21NM50N

  • 种类:

    结型JFET

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    SMDSO/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    500(V)

  • 夹断电压:

    500(V)

  • 跨导:

    24(μS)

    品牌:INJ日本国际器件 型号:IRFIB7N50A 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型IRFIB7N50A TO220F IR品牌 7.4A 500A 内阻0.52欧 应用于车载逆变电源\无*灯镇流器\电源适配器等. 原装现货库存,*少包装1.5...

    • 品牌/商标:

      其他

    • 型号/规格:

      SVF8N60AF

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 开启电压:

      0(V)

    • 夹断电压:

      0(V)

    • 跨导:

      0(μS)

    • 品牌/商标:

      Hitachi/日立

    • 型号/规格:

      K1404,2SK1404

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 开启电压:

      *(V)

    • 夹断电压:

      **(V)

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