您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET

高压场效应管 11N60C3 11A600V

高压场效应管 11N60C3 11A600V
高压场效应管 11N60C3 11A600V
  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    11N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

普通会员
  • 企业名:欧阳泽涛

    类型:生产加工

    电话: 0754-82201262

    联系人:欧阳泽涛

    地址:广东汕头广东省汕头市潮南区司马浦镇华里西村工业区大道8号

商品信息

欧讯电子:*经营电动车控制器 充电器 转换器 HID安定器 LED控制器*拆机MOS场效应管

*仪器分选MOS管性能 开启电压 内阻 跨导 耐压 实际电流 使管子的参数一致为一组

为客户降*同时也为客户降低返修率本公司的产品型号如下

TO220封装:

P75NF75 75NF68 80NF70 140NF75 P50NF06 P60NF06 P65NF06 K3435B K4145 T428

T430 T470 IRF3607 IRF1010E IRF2807 IRF3205 120N06 RJK0822 K80E08K3 SSF7509 NCE7580 WFP75N08 ME75N80 IRFZ44 IRFZ46 IRFZ48 IRF3710 IRF3205 FDP3632 FDP3652 P80N10 SUP85N10 

FQP70N08 WFP75N08 *R20100* LM317T L7805CV

TO252封装

AP40P03GH  CEU75A3 P70N02LDG MTD70N03 P0403BDG APD09N03LBG MDD1653 ISL9N308AD3ST NTD48410NT4G AP70T03H IRLR7843 SPD08N05L MDD1754 FDD6030 FDD6680 IRF830 KIA830 STK830D CMD5N50 KF5N50 FDD50N03 

TO263封装

IRF3704S 2SK3467 2SK3572 STB100H02LT4 PHB87M03LT PSMN004-25B IPB05N03 AP85N02S CFB50N03 AP60N03S H7N0307 SDB65N03L CEB71A03 CEB70N03 CEB8030L AP80N03S SDB85N03S FDB7030L FDB8447S 2SK3272-01S

 

:欧阳

网址:www.oyzt1991.cn.alibaba.com

手机:\ 13380410358

/传真:

QQ1145695615欧讯电子

 

 

联系方式

企业名:欧阳泽涛

类型:生产加工

电话: 0754-82201262

联系人:欧阳泽涛

地址:广东汕头广东省汕头市潮南区司马浦镇华里西村工业区大道8号

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9