国产
7N60
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
IGBT*缘栅比*
电话:86 0755 61306468
FQP7N60
GE-P-FET锗P沟道
MIX/混频
FAIRCHILD/*童
MOSFET N 通道,金属氧化物
结型(JFET)
增强型
手机:
FAIRCHILD/*童
FQP7N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:
FAIRCHILD/*童
7N60
品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 7N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 F(V) 夹断电压 G(V) 跨导 Z(&am...
电话:86 0754 89972753
手机:13128464664
P-DIT/塑料双列直插
7N60
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
龙晶微
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:755-27747619
品牌:RW 型号:7N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:M*金属半导体 开启电压:0.3(V) 夹断电压:10(V) 漏*电流:160(mA) 耗散功率:8000(...
电话:0577-83157261
品牌:KOR韩国电子 型号:7n60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:80(V) 低频跨导:50(μS) *间电容:600...
电话:0755-29888613
品牌:* 型号:7N60 应用范围:放大 功率特性:大功率 频率特性:高频 结构:点接触型 特征频率:...(MHz) 集电*允许电流:...A(A) 集电*允许耗散功率:...W(W)[编辑本段]什么是三*管(也称晶体管)在中文含义里面只是...
电话:0754-82333276
品牌:HJP/AAT/FSC 型号:7N60 批号:09 封装:TO220/F 营销方式:* 产品性质:*长期供应,欢迎来电咨询:1N60 TO-251/2522N60(FQFP2N60) TO-220/F3N60(FQFP3N60 TO-220/F4N60(FQFP4N60) TO-220/F5N60(FQFP5N60) TO-220/F6N...
电话:0755-26048372