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美格纳场效应管

(共找到“21”条查询结果)
企业类型:不限工厂贸易
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  • 型号/规格:

    MDF4N60

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装:

    to-220F

  • 包装:

    1000

  • 年份:

    1000

  • 品质:

    原装正品

  • 型号/规格:

    MDF8N60TH

  • 品牌/商标:

    美格纳

  • 封装形式:

    TO220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 型号/规格:

    MDF9N50

  • 品牌/商标:

    美格纳

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

    品牌:MagnaChip/美格纳 型号:MDF13N50TH TO-220F 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 开启电压:-(V) 夹断电压:-(V) 跨导:-(μS) 极间电容:-(pF) 低频噪声系数:-(dB) ...

    • 品牌/商标:

      美格纳

    • 型号/规格:

      MDF13N50

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      A/宽频带放大

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • D:

      D

    • 品牌/商标:

      MagnaChip/美格纳

    • 型号/规格:

      MDD1761RH,SOT-252,SMD/MOS,,

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 开启电压:

      3(V)

    • 品牌/商标:

      美格纳

    • 型号/规格:

      MDD2N60

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      D/变频换流

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      ALGaAS铝镓砷

    • 品牌/商标:

      MagnaChip(美格纳)

    • 型号/规格:

      MDF12N50TH

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      MagnaChip(美格纳)

    • 型号/规格:

      MDI4N60TH

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      FAIRCHILD/仙童

    • 型号/规格:

      MDP8N60 8N60

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      A/宽频带放大

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      ALGaAS铝镓砷

    • 陈徐东

    • 企业类型:经销批发
    • 手机:15322589370

    • 品牌/商标:

      MagnaChip/美格纳

    • 型号/规格:

      MDD4N60RH

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      D/变频换流

    • 封装外形:

      CHIP/小型片状

    • 材料:

      GE-N-FET锗N沟道

    • 型号/规格:

      MDP9N60

    • 品牌/商标:

      Magnachip

    • 封装形式:

      TO-220

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 安装方式:

      直插式

    • 包装方式:

      盒带编带包装

    • 功率特征:

      中功率

      品牌:Magnachip 型号:Magnachip.MDU2654RH 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 开启电压:1(V) 夹断电压:1(V) 极间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) 最大漏极电流:1(mA) 最大耗散功率:1(mW...

      • 品牌:

        美格纳

      • 型号:

        MAP3202 MAP3204 MAP3222 MAP3206 MDHT3N40 MAP3222

      品牌/商标 美格纳 型号/规格 MAP3202 MAP3204 MAP3222 MAP3206 MDHT3N40 MAP3222 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 美格纳场效应管电视机,显视器,笔记本MAP3202 MAP3204 MAP3222 MAP3206 MDHT3N40 ...

      • 品牌/商标:

        其他

      • 型号/规格:

        MDP9N50TH

      • 种类:

        绝缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        P沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        DIFF/差分放大

      • 封装外形:

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料:

        GE-P-FET锗P沟道

        品牌:MagnaChip型号:MDP9N60种类:结型(JFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型MDP9N60 TO-220封装 VDS = 600VID =9.0A @ VGS = 10VRDS(ON) ≤ 0.75D @ VGS = 10V 批量供应,欢迎咨询采购!

        • 型号/规格:

          MDD1654

        • 品牌/商标:

          美格纳

        • 封装形式:

          TO-252

        • 环保类别:

          无铅环保型

        • 安装方式:

          贴片式

        • 包装方式:

          卷带编带包装

        • 品牌:

          美格纳

        • 型号:

          MDP9N60

        品牌/商标 美格纳 型号/规格 MDP9N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 2(V) 夹断电压 3(V) 低频跨导 4(μS) 极...

        • 品牌/商标:

          MagnaChip(美格纳)

        • 型号/规格:

          MDP11N60TH

        • 种类:

          绝缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 导电方式:

          增强型

        • 用途:

          V-FET/V型槽MOS

        • 封装外形:

          P-DIT/塑料双列直插

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

          品牌:美格纳 型号:MDP7N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型批量供应,欢迎咨询采购!美格纳场效应管全系列产品

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