该公司以 GaNsafe 为品牌，增强了与驱动器集成的保护功能，并采用 10 x 10mm TOLL 封装，并采用定制内部引线框架（下图）。 初始产品的额定电压为 650V（800V 瞬态），涵盖 35 至 98mΩ 的 Rds(on)（下表），针对 1 至 22kW 的应用。预计开关频率高达 2MHz...
EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A（250A 300μs脉冲25°C）容量，占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ，可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A（62A 300μs 脉冲 25°C） “与传统硅解决方案相比，EPC 的抗辐射器件表现出卓越的抗辐射能力，”EPC 表示。“...
据ICinsights分析，功率晶体管销售额在2022年有望增长11%，预计今年将达到245亿美元，连续第六次创下历史新高，这主要是因为这一大型分立器件产品的平均销售价格(ASP)创下十几年来的最高增幅。根据麦克林报告服务的第三季度更新，功率晶体管的ASP在2021年增长...
宜普电源转换公司（EPC）近日宣布推出EPC2050，这是一款350VGaN晶体管，zui大RDS(on)为80mΩ，脉冲输出电流为26A。EPC2050的尺寸仅为1.95mmx1.95mm，与采用等效硅器件的解决方案相比，基于EPC2050的解决方案的占板面积小十倍。 受益于开关快、小尺寸...
埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT400W非对称Doherty射频功率晶体管。此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计，其采用了埃赋隆备受业界推崇的第9代28VLDMOS工艺技术。该Doherty晶体管采用气腔塑料...
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。GaN 功率晶体管的主要问题之一是其动态导通电阻 (RDS(ON)) 在开关操作期间增加，这种现...
帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下，这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通常还想知道这些设备在商业/工业市场应用中的常用情况，因为这可以深入了解...
